ESD對于電路引起的干擾、對元器件、CMOS電路及接口電路造成的破壞等問題越來越引起人們的重視。ESD防靜電的問題逐漸被人提及重視。ESD造成元器件失效，我們來了解一下：
    1、當(dāng)帶電物體通過器件形成一個放電通路時或帶電器件本身有一個放電通路時，就會產(chǎn)生ESD而造成器件的失效，失效模式有突發(fā)性*失效和潛在性緩慢失效。
    (1)突發(fā)性*失效：器件的芯片介質(zhì)擊穿或燒毀、一個或多個電參數(shù)突然劣化，*失去規(guī)定功能的失效。通常表現(xiàn)為開路、短路、以及電參數(shù)嚴(yán)重漂移。概率約10%
    (2)潛在性緩慢失效：器件受到ESD造成輕微損傷，器件的性能劣化或參數(shù)指標(biāo)下降而成為隱患，使該電路在以后的工作中，參數(shù)劣化逐漸加重，zui終失效。概率約90%
    2、ESD引起信息出錯，導(dǎo)致設(shè)備故障ESD會在設(shè)備各處產(chǎn)生一個幅值為幾十伏的干擾脈沖，引起信息出錯，導(dǎo)致設(shè)備的故障ESD也可產(chǎn)生頻帶幾百千赫～幾十兆赫、電平高達(dá)幾十毫伏的電磁脈沖干擾。當(dāng)脈沖干擾耦合到敏感電路時，也會引起信息出錯，導(dǎo)致設(shè)備的故障。
    3、高壓靜電吸附塵埃微粒
    靜電電荷易吸附塵埃微粒，污染PCB板和半導(dǎo)體芯片，使其絕緣電阻下降，影響器件工作。嚴(yán)重時會引起器件故障（例如：CMOS電路發(fā)生閂鎖）。